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BSP62,115  与  BSP 62 H6327  区别

型号 BSP62,115 BSP 62 H6327
唯样编号 A-BSP62,115 A-BSP 62 H6327
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 达林顿晶体管 通用三极管
描述 TRANS PNP DARL 80V 1A SOT223
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd 1250mW 1.5W
特征频率fT - 200MHz
产品特性 车规 车规
集电极-射极饱和电压 - 1.8V
FET类型 P-Channel -
封装/外壳 SOT223 SOT-223
VCBO - 90V
工作温度 - -65℃~150℃
VEBO - 5V
尺寸 6.5 x 3.5 x 1.65 -
集电极连续电流 -1000A 1A
直流电流增益hFE 1000 2000
集电极-发射极最大电压VCEO - 80V
晶体管类型 - PNP
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
260+ :  ¥1.2062
500+ :  ¥1.0222
1,000+ :  ¥0.9378
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSP62,115 Nexperia  数据手册 达林顿晶体管

BSP62_null

¥1.2062 

阶梯数 价格
260: ¥1.2062
500: ¥1.0222
1,000: ¥0.9378
0 当前型号
BSP62H6327XTSA1 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSP 62 H6327_TO-261-4,TO-261AA 150°C(TJ) 车规

暂无价格 0 对比
BSP 62 H6327 Infineon  数据手册 通用三极管

BSP62H6327XTSA1_SOT-223 1.5W PNP 80V 1A 1.8V 2000 200MHz 车规

暂无价格 0 对比

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